产品

中文名称: CVD二氧化硅基底单层二硫化钨

英文名称：Single Layer WS2 on SiO2

性质

形态：薄膜

参数

基底：二氧化硅

基底尺寸：9 mmx9 mm

WS2片径大小：20-50 µm

厚度：0.6～0.8 nm

应用

该类材料缺陷少，光学性质优良，层数可控，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料。