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| 编号 | 包装 | 参数 | 价格 |
| NF168 | 1 盒 | 基底尺寸: 9 mmx9 mm
基底：氧化铝 片径范围：20-50 μm 厚度：0.6～0.8 nm |
询价 |
产品名称
中文名称: CVD氧化铝基底单层二硫化钨
英文名称：Single Layer WS2 on Al2O3
性质
形态：薄膜
参数
基底：氧化铝
片径范围：20-50 μm
厚度：0.6～0.8 nm
应用
最新推出CVD法制备的单层二硫化钨，相比较锂插层制备的单层二硫化钨，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
应用
光电探测器
锂离子电池的阳极材料
电化学装置
