更多产品信息，可电话、邮件联系，或点击网站右侧在线客服。
邮箱：sale@chemhui.com
| 编号 | 包装 | 参数 | 价格 |
| NF163 | 1 盒 | 基底尺寸: 6 mmx8 mm，片径范围：20-50 μm | 询价 |
| NF176 | 1 盒 | 尺寸：8X8 mm, 基底:二氧化硅，默认单抛光，连续薄膜 | 询价 |
产品名称
中文名称: CVD二氧化硅基底单层二硫化钼
英文名称：Single Layer MoS2 on SiO2
性质
形态：薄膜
参数
基底：二氧化硅
基底尺寸：8 mm*6 mm
片径范围：连续整块薄膜或20-50 μm
厚度：0.6～0.8 nm
应用
最新推出CVD法制备的单层二硫化钼，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
