传统化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯需要经过复杂的操作转移到目标基底上才能应用于实际电子器件的构筑，不可避免地会造成石墨烯的质量损害和表面污染，从而影响其光电性能与实际应用。而直接在绝缘基底上沉积石墨烯将有效解决这一问题。由于绝缘基底表面缺少催化活性，制备石墨烯需要长时间的高温等苛刻条件，引入金属纳米颗粒催化剂可以降低反应温度并加快石墨烯的生长速度。影响石墨烯薄膜透过率有两部分因素：(1) 石墨烯薄膜本身对于光的吸收；(2) 基底对于光的反射。其中后者常常被忽略。优化石墨烯薄膜质量并减少基底对光的反射能够明显地提高石墨烯透明导电薄膜的光电性能。