（2）在0.1 M Na₂SO₄溶液中，B-MoS₂-300纳米片在-0.75 V vs. RHE时获得了75.77 µg h^-1 mg^-1_cat.的优异产氨率，以及在-0.60 V vs. RHE时达到了40.11%的出色法拉第效率。此外，B-MoS₂-300纳米片还表现出良好的选择性和化学稳定性，反应过程中没有副产物肼的生成，并且在6个循环和12小时长期电解实验中产氨率和法拉第效率没有明显的下降。

（3）基面活化的硼掺杂MoS₂纳米片优异的电催化氮气还原性能主要归因于以下几个方面：一方面金属相1T-MoS₂自身的高电导率保障了电子的传输速率；另一方面，硼的成功掺入扩大了MoS₂的层面间距，并且硼原子可以作为活性位点起到基面活化作用，为NRR提供更多的活性位点。

（4）密度泛函理论计算表明，B的掺杂激活了1T-MoS₂的基面，使得N₂在基面上的吸附更容易，促进了NRR过程。在NRR过程中，在B掺杂的1T-MoS₂的边缘处氮吸附自由能的变化远低于纯1T-MoS₂，这说明硼原子的掺入可以提高B掺杂的1T-MoS₂的N₂吸附能力。B掺杂的1T-MoS₂的电势决定步骤（PDS）比纯1T-MoS₂更低，进一步说明在B掺杂的1T-MoS₂上N₂活化和还原比纯1T-MoS₂更有利。