CuInSe₂（CISe）纳米晶具有低毒性、较高的光吸收系数和较宽的光谱吸收范围等优势在太阳能电池、光电催化、光电探测器等光电器件领域展现出巨大的应用潜力。然而，同质异相结构CISe纳米晶的精准合成仍然存在挑战。

北京科技大学田建军教授与香港城市大学Andrey Rogach教授团队在ChemNanoMat上报道了一种同质异相结构CISe纳米晶的合成方法，通过形核温度调控同质异相纳米晶的形貌和尺寸，得到四足状结构、核壳结构和中空结构的CISe纳米晶。

一般来说，CP相是CISe的热力学稳定相，WZ相是亚稳态相，成核温度升高有利于CP相CISe的形成，且CP相CISe纳米晶的尺寸随温度升高逐渐变大，因此，同质异相结构CISe纳米晶中CP相的比例增大。同时较高的反应温度提供了克服势垒的能量，剩余的前驱物在CP相CISe核表面形成亚稳态的WZ-CISe。该工作提供了一种制备同质异相结构纳米晶的新方法，对研究相结构对半导体纳米晶的物理化学性能具有重要意义。