【据Pv-magazine网站3月19日报道】近日，日本东京工业大学和早稻田大学的一个研究团队，开发出一种生产单晶硅薄膜太阳能电池的新技术，在降低大规模生产成本同时，保持高的电池效率。
研究人员称，他们开发的高质量单晶硅薄膜，厚度约为10μm，晶体缺陷密度低。此外，其制备速度比以前提高10倍以上。
研究人员解释道，通过区域加热重结晶法（ZHR法），使表面粗糙度达到0.2〜0.3nm。然后将得到的基底用于高速生长，以形成具有高结晶质量的单晶薄膜。研究人员补充说：“使用双层多孔硅层，可以轻松的剥离生长的薄膜，并且基底及蒸发源可重复使用，大大减少了材料损耗。”
此外，研究过程中还发现，在0.1-0.2nm范围内的表面粗糙度对晶体缺陷的形成具有重要影响，晶体缺陷的形成也是晶体生长机制的重要影响因素。
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