产品名称

中文名称: CVD蓝宝石基底单层二硫化钨

英文名称：Single Layer WS2 on sapphire substrate

性质

形态：薄膜

参数

厚度：0.6～0.8 nm

尺寸：20-50 μm；1cm x 1cm

基底类型：（0001）c-cut Sapphire  ；蓝宝石

晶体结构：Hexagonal

制备方法：LPCVD

应用

最新推出CVD法制备的单层二硫化钨，相比较锂插层制备的单层二硫化钨，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。